JMF612 |
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功能特点: |
JMF612-——Hi-Speed USB & SATA II 3.0G Combo to flash 8-CH(SSD固态硬盘)；
这款JMF612主控芯片内建ARM9微型处理器，具备32KB ROM及128KB RAM，可控制8层NAND通道；采用289-ball TFBGA封装，可支持最大256MB容量的DDR/DDR2缓存；支持本地队列命令（NCQ）及128-bit AES加密技术；可支持每1024字节多达24bit纠错的BCH ECC算法；
使用动态、静态结合的平衡磨损技术，再加上最新的坏块管理软件可帮助延长产品的使用寿命。使用新款JMF612芯片之后，制造商不再需要浪费两个JMF602B芯片来解决随机读写问题，因而成本更低。同时JMF612芯片使用了新工艺制造，体积更小。据测试使用MLC FLASH，其最高读速度230M/S,写速度150M/S；使用SLC FLASH，其最高读速度250M/S,写速度500M/S。其性能已经大大的超过了三星和Indilinx的解决方案。 |
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规格参数: |
J MF612-——Hi-Speed USB & SATA II 3.0G Combo to flash 8-CH(SSD固态硬盘)；
这款JMF612主控芯片内建ARM9微型处理器，具备32KB ROM及128KB RAM，可控制8层NAND通道；采用289-ball TFBGA封装，可支持最大256MB容量的DDR/DDR2缓存；支持本地队列命令（NCQ）及128-bit AES加密技术；可支持每1024字节多达24bit纠错的BCH ECC算法；
使用动态、静态结合的平衡磨损技术，再加上最新的坏块管理软件可帮助延长产品的使用寿命。使用新款JMF612芯片之后，制造商不再需要浪费两个JMF602B芯片来解决随机读写问题，因而成本更低。同时JMF612芯片使用了新工艺制造，体积更小。据测试使用MLC FLASH，其最高读速度230M/S,写速度150M/S；使用SLC FLASH，其最高读速度250M/S,写速度500M/S。其性能已经大大的超过了三星和Indilinx的解决方案。 | | |
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